Рис. 2.45. Выходное напряжение модели СЭП.
Рис. 2.46. Сигнал на выходе схемы выборки, сигнал на выходе дифференциатора коммутатора и токи ключей коммутатора.
На рисунке 2.46 видно, что при превышении производной выходного напряжения установленных порогов происходит формирование двойных тактовых импульсов, и переключение коммутатора происходит не на одну позицию, а на две.
Моделирование принципиальной схемы завершено успешно, разработана последовательность отработки макета, определены параметры всех элементов и т.д.
Самое читаемое:
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых
сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической
структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу.
Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев
представляло в то время необычайно сло ...