Разделы сайта

Моделирование

Рис. 2.45. Выходное напряжение модели СЭП.

Рис. 2.46. Сигнал на выходе схемы выборки, сигнал на выходе дифференциатора коммутатора и токи ключей коммутатора.

На рисунке 2.46 видно, что при превышении производной выходного напряжения установленных порогов происходит формирование двойных тактовых импульсов, и переключение коммутатора происходит не на одну позицию, а на две.

Моделирование принципиальной схемы завершено успешно, разработана последовательность отработки макета, определены параметры всех элементов и т.д.

Перейти на страницу: 1 2 

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2026