Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) - с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки . Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода , как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт .
Диоды Шоттки - составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:
· МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996 ) - основной компонент синхронных выпрямителей . В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками (так как представляет из себя обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.
· Так называемые ORing-диоды и ORing-сборки - силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью p-n перехода и низкими удельными плотностями тока.
Самое читаемое:
Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Оптимизировать
процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить
расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину
напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной
скорости напыления.
Таблица
1. Вариант задания
№ варианта
...