Основной операцией производства ГФС является изомеризация глюкозы во фруктозу, которую проводят с использованием ферментных препаратов глюкоизомеразы, закрепленных (иммобилизованных) на твердой основе, например оксид титана - 30%, ДЭАЭ-целлюлоза - 30%, полистирол - 40%. Оптимальными условиями для изомеризации являются: 55-57°С, рН = 7,5÷7,8. Ингибиторами глюкоизомеразы являются кислород, ионы кальция, меди, никеля, цинка и некоторые другие примеси. Для стабилизации фермента добавляют соли магния и гидросульфит натрия. Обычно на изомеризацию подается сироп концентрацией 40-45% СВ.
Продолжительность контактирования сиропа с ферментом составляет 20-24 ч, расход фермента - 0,07-0,1 масс. % от массы СВ. Для активации фермента перед изомеризацией в сироп добавляют MgSO4 (0,025-0,015 моль/л) или CoSO4 (0,0003-0,003 моль/л), а для подавления микрофлоры - бисульфит натрия или калия (0,008-0,016 масс. % от массы СВ).
Вследствие обратимости реакции равновесие устанавливается при эквимолярном соотношении глюкозы и фруктозы; на практике реакцию прекращают по достижении концентрации фруктозы, равной 40-42% от массы СВ. Глюкоизомеразу используют в течение 28-30 сут., после чего она теряет свою активность, и ее выводят из производства. После изомеризации сироп очищают ионитами (катионит ® анионит) от солей жесткости и обесцвечивают активным углем; затем раствор фильтруют, концентрируют до 70-74% СВ под вакуумом и охлаждают до 25-30°С.
Применение ГФС-42 в некоторых случаях затрудняется образованием осадка глюкозы. Для предотвращения кристаллизации глюкозы сироп обогащают фруктозной фракцией и получают ГФС-55. По сладости ГФС-55 несколько превышает сахарозу, и образования осадка глюкозы в нем в период хранения при обычных условиях не происходит.
Самое читаемое:
Исследование наноструктурированной поверхности на АСМ Solver HV
Целью
курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии,
получение навыков работы на АСМ SOLVERHV.
Преимущество
АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с
изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные,
электрические и электростатические хара ...