Разделы сайта

Поверочный расчет каскадов станции

постоянное напряжение эмиттер-база

постоянный ток эмиттера

постоянный ток коллектора

постоянная рассеиваемая мощность Рк=100 мВт.

Общее тепловое сопротивление Rт=0,86к/мВт.

Максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллектором при , равна:

Максимальное напряжение между коллектором и базой при равно:

,

где tср = 45…70% - диапазон температур, в пределах которого происходит снижение на величину

.

Выбираем напряжение коллектор-база с 30-процентным запасом:

Ток покоя коллектора с 30% запасом:

Выбираем допустимое изменение тока покоя коллектора .

Вычисляем коэффициент нестабильности N:

Выбираем

Выбираем 1R17=10 кОм.

Емкость шунтирующего конденсатора:

Выбираем Сф =1С14=51 пФ.

По аналогии 1R15 рассчитывается 1R12 и по 1R14 рассчитывается резистор 1R11.

Таблица 4

Перечень компонентов электрической схемы преобразователя

Схемное обозначение

Тип компонента

Количество

1VT

Транзистор BF998 (КП436)

1

1VT3, 1VT4

Транзистор КТ3120А

2

1R11, 1R17

Резистор С2-33Н-0,25 - 10 кОм

2

1R12, 1R15

Резистор С2-33Н-0,25 - 2 кОм

2

1R13

Резистор С2-33Н-0,25 - 100 Ом

1

1R14

Резистор С2-33Н-0,25 - 500 Ом

1

1R16

Резистор С2-33Н-0,25 - 560 Ом

1

1С9, 1С10, 1С16, 1С18

Конденсатор К10-17-2Б-М47 - 33 пФ

4

1С13, 1С14

Конденсатор К10-17-2Б-М47 - 51 пФ

2

1С11, 1С12, 1С15

Конденсатор К10-17-2Б-М47 - 5,1 пФ

3

1С19

Конденсатор К10-17-2Б-М47 - 100 пФ

1

1L4, 1L5

Индуктивность L=0,03мкГн

2

Перейти на страницу: 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024