Разделы сайта

Технологические процессы производства ППИС

Диоды в ППИМС

В качестве диодов в полупроводниковых интегральных ИМС может быть использован любой из p-n переходов транзисторной структуры. Наиболее предпочтительным является вариант использования эмиттерного перехода при замкнутом коллекторном переходе (рис. 3). Эта структура обладает наименьшим временем выключения (10 нc), малой паразитной емкостью, и, следовательно, обеспечивает наибольшее быстродействие, пробивное напряжение составляет 7-8 В. При использовании в качестве диода коллекторного перехода эмиттерная область не формируется, что позволяет уменьшить площадь, занимаемую диодом (Uпр=30-50 В).

Рис. 3. Электрическая схема и структура диода.

Для каждого диода, формируемого на основе перехода коллектор-база, должна быть предусмотрена отдельная изолированная область, в противном случае может произойти смыкание областей объёмного заряда соседних диодов, так как их расширение в высокоомную коллекторную область является значительным. Если диоды формируются на основе перехода эмиттер-база, то их можно размешать внутри одной изолированной области, поскольку расширение областей объёмного заряда p-n переходов, формируемых в этом случае в достаточно низкоомных материалах невелико.

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Самое читаемое:

Алгоритм поиска неисправности и способ настройки и регулировки импульсного источника питания
Источниками питания называют устройства, предназначенные для снабжения электронной аппаратуры электрической энергией и представляющие собой комплекс приборов и аппаратов, которые вырабатывают электрическую энергию и преобразуют её к виду, необходимому для нормальной работы каждого узла электронной аппаратуры. В настоящее время с ...