Разделы сайта

Технологические процессы производства ППИС

Диоды в ППИМС

В качестве диодов в полупроводниковых интегральных ИМС может быть использован любой из p-n переходов транзисторной структуры. Наиболее предпочтительным является вариант использования эмиттерного перехода при замкнутом коллекторном переходе (рис. 3). Эта структура обладает наименьшим временем выключения (10 нc), малой паразитной емкостью, и, следовательно, обеспечивает наибольшее быстродействие, пробивное напряжение составляет 7-8 В. При использовании в качестве диода коллекторного перехода эмиттерная область не формируется, что позволяет уменьшить площадь, занимаемую диодом (Uпр=30-50 В).

Рис. 3. Электрическая схема и структура диода.

Для каждого диода, формируемого на основе перехода коллектор-база, должна быть предусмотрена отдельная изолированная область, в противном случае может произойти смыкание областей объёмного заряда соседних диодов, так как их расширение в высокоомную коллекторную область является значительным. Если диоды формируются на основе перехода эмиттер-база, то их можно размешать внутри одной изолированной области, поскольку расширение областей объёмного заряда p-n переходов, формируемых в этом случае в достаточно низкоомных материалах невелико.

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Самое читаемое:

Мощный импульсный стабилизированный блок питания
Процесс в развитии науки и техники не стоит на месте. Большую роль в этом процессе играет технология, так как от правильно выбранной или разработанной технологии зависят и характеристики конкретного изделия и его стоимость. Необходимость проектирования сложных радиоэлектронных средств (РЭС) и требования к сокращению сроков их про ...