Величина паразитной емкости резистора (CR
) определяется по формуле
,
где SR
- площадь резистора, находящегося в контакте с обедненным слоем, Wоб
(l/2) - ширина обедненного слоя на уровне половины длины резистора, определяемая с учетом разности потенциалов между серединным участком резистора и общей изолирующей областью.
Величина граничной частоты использования резистора с учетом паразитной емкости определяется по формуле:
Таким образом, диодному виду изоляции присущи определенные ограничения. Ток утечки обедненного слоя ограничивает максимально реализуемое сопротивление резистора. Емкостной эффект обедненного слоя ограничивает максимальную частоту использования данного резистора.
Самое читаемое:
Разработка микропроцессорной системы на основе процессора MC68000
микропроцессор память блок шина
1.
Разработать
микропроцессорную систему на базе процессора MC68000.
2.
Разработать и нарисовать
структурную и принципиальную схему МПС. Произвести подключение шины адреса,
данных и управления к соответствующим блокам на схеме. Сформировать блок
устройства памяти (ОЗУ и ПЗУ) и подключить е ...