Величина паразитной емкости резистора (CR
) определяется по формуле
,
где SR
- площадь резистора, находящегося в контакте с обедненным слоем, Wоб
(l/2) - ширина обедненного слоя на уровне половины длины резистора, определяемая с учетом разности потенциалов между серединным участком резистора и общей изолирующей областью.
Величина граничной частоты использования резистора с учетом паразитной емкости определяется по формуле:
Таким образом, диодному виду изоляции присущи определенные ограничения. Ток утечки обедненного слоя ограничивает максимально реализуемое сопротивление резистора. Емкостной эффект обедненного слоя ограничивает максимальную частоту использования данного резистора.
Самое читаемое:
Микросхема радиомодема норвежской фирмы CHIPCON
Быстро
развивающийся технический прогресс предъявляет с каждым днем все большие
требования к качеству производственных процессов. Одной из основных задач в
деле достижения высочайших показателей качества производства, является четкий и
быстрый контроль, а затем автоматизированная обработка данных о протекании
производственного проц ...