Величина паразитной емкости резистора (CR
) определяется по формуле
,
где SR
- площадь резистора, находящегося в контакте с обедненным слоем, Wоб
(l/2) - ширина обедненного слоя на уровне половины длины резистора, определяемая с учетом разности потенциалов между серединным участком резистора и общей изолирующей областью.
Величина граничной частоты использования резистора с учетом паразитной емкости определяется по формуле:
Таким образом, диодному виду изоляции присущи определенные ограничения. Ток утечки обедненного слоя ограничивает максимально реализуемое сопротивление резистора. Емкостной эффект обедненного слоя ограничивает максимальную частоту использования данного резистора.
Самое читаемое:
Исследование аналого-цифрового преобразователя с помощью Elvis
Цель
настоящей работы исследование процессов протекающих в аналого-цифровых
преобразователях (АЦП) с помощью комплекта виртуальных измерительных приборов
для учебных лабораторий «NI ELVIS». В качестве исследуемого АЦП разработан
лабораторный стенд. Для конкретизации поставленных выше целей определим
актуальность поставленной задачи ...