Величина паразитной емкости резистора (CR
) определяется по формуле
,
где SR
- площадь резистора, находящегося в контакте с обедненным слоем, Wоб
(l/2) - ширина обедненного слоя на уровне половины длины резистора, определяемая с учетом разности потенциалов между серединным участком резистора и общей изолирующей областью.
Величина граничной частоты использования резистора с учетом паразитной емкости определяется по формуле:
Таким образом, диодному виду изоляции присущи определенные ограничения. Ток утечки обедненного слоя ограничивает максимально реализуемое сопротивление резистора. Емкостной эффект обедненного слоя ограничивает максимальную частоту использования данного резистора.
Самое читаемое:
Исследование систем передачи цифровой информации повышенной помехозащищенности с использованием одночастотных псевдослучайных сигналов
В условиях проводимого сокращения стратегических вооружений
особую актуальность приобретают задачи, связанные с повышением качественных
характеристик вооружения и военной техники.
Одним из наиболее перспективных направлений в указанной
области является совершенствование систем управления, войсками и оружием.
Неотъемлемой части та ...