Для реализации данной АСУТП необходимо 4 ПЭВМ, которые имеют следующее назначение. На среднем уровне находится автоматизированное рабочее место - дистрибуторщика ККЦ, оператора АДСК и оператора МНЛЗ, который имеет возможность производить локальное регулирование определенных параметров процесса. На верхнем уровне находятся автоматизированное рабочее место ведущего инженера АСУТП, который осуществляет принятие решений по управлению непосредственно всем технологическим процессом и также имеет возможность выдачи заданий в локальные системы регулирования. На верхнем уровне расположен сервер баз данных 1 и дублирующий сервер баз данных 2, которые также реализованы на ПЭВМ.
Сигналы от датчиков, установленных непосредственно на конвертере поступают на пульт управления дистрибуторщика, на котором схематически указанны группы приборов, предназначенных для ручного задания параметров (БРУ-7) и управления процессом в ручном режиме (БРУ-10), так же установлены показывающие приборы (ИТМ-10). Параллельно с пульта управления сигнал идет на вход аналогового модуля SM 431 микроконтроллера S7-400.
Сигналы от датчиков, установленных на МНЛЗ поступают на пульт управления оператора, на котором схематически указаны группы приборов, предназначенных для ручного задания параметров (БРУ-5) и управления процессом в ручном режиме (БРУ-10), так же установлены показывающие приборы (Метран-900, Метран-901). Параллельно с пульта управления сигнал идет на вход аналогового модуля SM 431 микроконтроллера S7-400.
При помощи Ethernet модуля сигналы попадают на сервер БД, где осуществляется их архивирование и расчет математической модели, информация поступает на ЭВМ ведущего инженера АСУТП и на ЭВМ дистрибуторщика и оператора МНЛЗ и АДСК, где осуществляется визуализация технологического процесса.
Самое читаемое:
Исследование наноструктурированной поверхности на АСМ Solver HV
Целью
курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии,
получение навыков работы на АСМ SOLVERHV.
Преимущество
АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с
изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные,
электрические и электростатические хара ...