Разделы сайта

Описание выбора и расчета схемы первого канала измерения.

Тензорезисторы, размещенные на мембране ИПД включены по схеме моста Уинстона с разорванной нижней диагональю. Питание тензомоста осуществляется напряжением, линейно возрастающим от температуры кристалла, что обеспечивает компенсацию измерения выходного сигнала температуры.

Тензомост образован диффузионными резисторами R4, R5, R7, R8, расположенными на одном кристалле ИПД с транзистором VT1 и резисторами R2, R3. Двухполюсник, выполненный на транзисторе VT1 и резисторах R2, R3 создает напряжение питания тензомоста, линейно увеличивающегося от температуры. Номиналы резисторов R2, R3 подобраны таким образом, чтобы температурный коэффициент напряжения питания тензомоста был равен температурному коэффициету тензочувствительности кремниевых диффузионных резисторов.

Рис. 4. Нумерация вводов и выводов датчика

Резисторы R1, R6, R9, R10 включены в разрыв нижней диагонали тензомоста и служат для компенсации температурной зависимости U0 и для установки U0=±0,2мВ.

Выходной сигнал преобразователя при давлении, равному нижнему пределу измерения U0, обычно не превышает ±0,2мВ.

Перейти на страницу: 1 2

Самое читаемое:

Блок формирования сигналов вспомогательного гетеродина
Многие могут заметить, что развитие и усовершенствование военной техники в недавние годы идет семимильными шагами. Это и воздушные, и наземные и надводные подвижные объекты. Такие быстрые темпы роста привели к необходимости создания дистанционных средств раннего оповещения о складывающейся обстановке. Поэтому был разработан новый ...