Разделы сайта

Описание выбора и расчета схемы первого канала измерения.

Тензорезисторы, размещенные на мембране ИПД включены по схеме моста Уинстона с разорванной нижней диагональю. Питание тензомоста осуществляется напряжением, линейно возрастающим от температуры кристалла, что обеспечивает компенсацию измерения выходного сигнала температуры.

Тензомост образован диффузионными резисторами R4, R5, R7, R8, расположенными на одном кристалле ИПД с транзистором VT1 и резисторами R2, R3. Двухполюсник, выполненный на транзисторе VT1 и резисторах R2, R3 создает напряжение питания тензомоста, линейно увеличивающегося от температуры. Номиналы резисторов R2, R3 подобраны таким образом, чтобы температурный коэффициент напряжения питания тензомоста был равен температурному коэффициету тензочувствительности кремниевых диффузионных резисторов.

Рис. 4. Нумерация вводов и выводов датчика

Резисторы R1, R6, R9, R10 включены в разрыв нижней диагонали тензомоста и служат для компенсации температурной зависимости U0 и для установки U0=±0,2мВ.

Выходной сигнал преобразователя при давлении, равному нижнему пределу измерения U0, обычно не превышает ±0,2мВ.

Перейти на страницу: 1 2 

Самое читаемое:

Диагностика и ремонт СВ-передатчика
Провести ремонт радиоэлектронного изделия, значит восстановить его работоспособность. Чтобы провести ремонт необходимо определить является ли изделие ремонтопригодным. При ремонте узлы изделия могут быть заменены полностью или частично. После проведения замены элементов в ремонтируемом изделии необходимо провести регулировки и наст ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2025