Тензорезисторы, размещенные на мембране ИПД включены по схеме моста Уинстона с разорванной нижней диагональю. Питание тензомоста осуществляется напряжением, линейно возрастающим от температуры кристалла, что обеспечивает компенсацию измерения выходного сигнала температуры.
Тензомост образован диффузионными резисторами R4, R5, R7, R8, расположенными на одном кристалле ИПД с транзистором VT1 и резисторами R2, R3. Двухполюсник, выполненный на транзисторе VT1 и резисторах R2, R3 создает напряжение питания тензомоста, линейно увеличивающегося от температуры. Номиналы резисторов R2, R3 подобраны таким образом, чтобы температурный коэффициент напряжения питания тензомоста был равен температурному коэффициету тензочувствительности кремниевых диффузионных резисторов.
Рис. 4. Нумерация вводов и выводов датчика
Резисторы R1, R6, R9, R10 включены в разрыв нижней диагонали тензомоста и служат для компенсации температурной зависимости U0 и для установки U0=±0,2мВ.
Выходной сигнал преобразователя при давлении, равному нижнему пределу измерения U0, обычно не превышает ±0,2мВ.
Самое читаемое:
Исследование аналого-цифрового преобразователя с помощью Elvis
Цель
настоящей работы исследование процессов протекающих в аналого-цифровых
преобразователях (АЦП) с помощью комплекта виртуальных измерительных приборов
для учебных лабораторий «NI ELVIS». В качестве исследуемого АЦП разработан
лабораторный стенд. Для конкретизации поставленных выше целей определим
актуальность поставленной задачи ...