, (3.13)
где N0 - концентрация ионов Tm3+. Для кристалла Tm: CaF2 с допированием 3% ат. см-3, с допированием 4,8% ат.
см-3 Эффективное сечение усиления находилось по формуле (3.9). Заметим, что данная методика позволила экспериментально учесть влияние распределения населённости по штарковским подуровням, в то время как, нахождение сечения излучения на данной длине
волны требует точного знания больцмановского распределения населённости в пределах рассматриваемого уровня. Полученные в результате расчетов данные представлены на рисунках 3.4 и 3,5 для кристаллов 3% и 4,8% соответственно.
Рис. 3.4. Зависимости и
кристалла Tm: CaF2 от длины волны для 3%. Tm3+
Рис. 3.5. Зависимости и
кристалла Tm: CaF2 от длины волны для 3%. Tm3+
Для лазерных сред, работающих по квазитрехуровневой схеме, важно соотношение и
. Пренебрежем процессами ап-конверсии, вследствие их малой вероятности, и предположим, что все ионы Tm3+ распределены по уровням 1 и 2. Тогда уравнение (3.10) можно представить в виде:
, (3.14)
где Р - параметр инверсной населённости, равный отношению населённости ионов Tm3+ находящихся на верхнем уровне лазерного перехода N2 к общему числу активных центров N0. Результаты расчетов представлены на графиках (рис. 3.6, рис. 3.7).
Рис. 3.6. Зависимость усиления для различных значений коэффициента инверсии P кристалла Tm: CaF2 допированного 3% Tm3+.от длины волны
Рис. 3.7. Зависимость усиления для различных значений коэффициента инверсии P кристалла Tm: CaF2 допированного 3% Tm3+.от длины волны
Самое читаемое:
Диагностика и ремонт СВ-передатчика
Провести
ремонт радиоэлектронного изделия, значит восстановить его работоспособность.
Чтобы провести ремонт необходимо определить является ли изделие
ремонтопригодным. При ремонте узлы изделия могут быть заменены полностью или
частично. После проведения замены элементов в ремонтируемом изделии необходимо
провести регулировки и наст ...