Для прямоугольных конфигураций существует полуэмпирическая формула расчета глубинного разрешения как полуширины АФ в области фокуса
[10]. Можно предложить аналогичную по структуре формулу (2) и для гексагональных конфигураций, эффективность которой иллюстрирует рис. 8.
, (2)
где
- размер пинхола,
- размер ячейки детектора,
- расстояние от детектора до коллиматора, R - ранг конфигурации.

а) б)
в)
Рис. 8 - Глубинное разрешение усредненных АФ исследованных ГКК: построенных на основе классических и ассоциированных ПСП (а), построенных на основе всех ПСП (б), построенных на основе ТП и РТП (в) : рассчитанное по результатам моделирования (квадратики) и определенное по формуле (2) (сплошная линия) при
и
Самое читаемое:
Исследование наноструктурированной поверхности на АСМ Solver HV
Целью
курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии,
получение навыков работы на АСМ SOLVERHV.
Преимущество
АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с
изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные,
электрические и электростатические хара ...