Разделы сайта

Выбор класса точности ПП

Исходя из описаний ПМК, устанавливаемых на ПП по заданию, можно заметить, что применяются штыревые (201.14), J-образные (SQFP 24x24-184, SQFP 14x20-120) выводы ЭРИ. Также используются безвыводные ЭРИ (резистор 0402, конденсатор 1206). Для стационарной ЭА характерно отсутствие механических воздействий, а также высокой и низкой температуры, во время работы, однако, она может подвергаться вибрациям, ударам, а также воздействию высоких и низких температур при транспортировании. К стационарной ЭА обычно не предъявляются высокие ограничения по габаритам и массе.

Основываясь на приведённых выше критериях, выберем третий (3) класс точности. Его основные характеристики приведены в таблицах 4 и 5.

Таблица 5 - Область применение и технологическое обоснование класса точности

Класс точности	Область применения	Оборудование	Основные материалы	Вспомогательные материалы	Тип производства
3	Для ПП с ЭРИ и ПМК, имеющих штыревые и планарные выводы, а также с безвыводными компонентами, при средней и высокой степени насыщенности поверхности ПП ИЭТ.	Фотокоординатограф, фотоплоттер, сверлильно-фрезерный станок с ПУ, линии химико-гальванической металлизации и травления модульного типа.	На основе стеклоткани с гальваностойкой фольгой толщиной не более 35 мкм.	Сухой пленочный фоторезист (СПФ)	От мелкосерийного до крупносерийного

Исходя из класса точности (3) и типа конструкции ПП и элементной базы устанавливаемых компонентов (ММСО), в качестве метода изготовления ПП выбираем метод металлизации сквозных отверстий, который является основным методом изготовления МПП.

Конструкция печатного проводника при изготовлении

МПП методом металлизации сквозных отверстий:

Рис. 3 - Конструкция печатного проводника при изготовлении МПП методом металлизации сквозных отверстий.

- медная фольга (толщина h = 5 мкм)

- гальваническая медь (толщина h = 25 мкм)

- металлорезист (толщина h = 9 мкм)

- химическая медь (толщина h = 2 мкм).

Перейти на страницу: 1 2

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...