Разделы сайта

Рабочий объем

Рабочий объем (РО) делается из нержавеющей стали. Для создания сверхвысокого вакуума (P=10-10 Торр) рабочий объем обезгаживается многочасовым прогревом до температур около 300 - 400oС. Обезгаживать при больших температурах нельзя, т.к. около 500oС начинается интенсивная диффузия углерода из нержавеющей стали. Это резко увеличивает диффузию газов внутри стали, и она перестает обеспечивать сверхвысокий вакуум. Для прогрева стенки РО окружены резистивными нагревателями, покрытыми сверху асбестовым теплоизолятором и алюминиевыми защитными кожухами[2]. Так же здесь важна насосная система. В нее обычно входят ионный и криогенный насосы[13].

Для получения слоев высокой чистоты важно, чтобы источники содержали как можно меньше посторонних примесей. Для этого в тигли источников помещают только сверхчистые материалы. Для перехвата частиц, испаряющихся со стенок, внутри РО стоят металлические экраны, охлаждаемые жидким азотом.

Материал в форме молекулярного пучка (луча) из эффузионных ячеек наносится на подогреваемую (примерно до 600o С) вращаемую (для однородности роста слоев) кристаллическую подложку. Этот пучок обычно получается с помощью теплового испарения из источника, содержащего наносимый материал в виде одного химического элемента. Но применяются и источники с металлоорганикой (МОМЛЭ), источники с газообразными гидридами (МЛЭ с газообразными источниками) или некоторой комбинацией таких источников (химическая лучевая эпитаксия - ХЛЭ).

Для образования атомно резких границ между соседними слоями с разным составом важно, чтобы скорость роста слоя равнялась нескольким ангстремам в секунду. Тогда прерывание роста слоя за долю секунды можно обеспечить поворотом механической заслонки, управляемой от компьютера. Расстояние от источника до подложки зависит от размеров последних. В промышленных установках это расстояние больше, чем в лабораторных установках, так как там подложки больше и требуется большая степень однородности слоя вдоль их поверхности.

Самое читаемое:

Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления. Таблица 1. Вариант задания № варианта ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024