Разделы сайта

Технико-экономическое обоснование элементной базы

Рисунок 1.3

Транзисторы

В разрабатываемом устройстве можно использовать любые маломощные транзисторы структуры n-p-n, такие как MPSA09, BC182B, КТ3102Б, в данной схеме исходя из цены и конструктивного исполнения, используем транзистор КТ3102Б.

Габаритные размеры представлены на рисунке 1.4

Рисунок 1.4

Технические характеристики:

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база, В 50;

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер, В 50;

Обратный ток коллектора, мкА ≤0.05;

Коэффициент шума биполярного транзистора, дБ ≤10.

Блок индикации

В качестве индикатора выбираем СС56-12 так как этот индикатор имеет высокую яркость, низкое рабочее напряжение, большой срок службы, устойчивость к механическим воздействиям.

Данный блок индикации обладает следующими параметрами:

Максимальное прямое напряжение (при токе 20 мА), В 2,5;

Максимальный прямой ток, мА 25-30;

Максимальное обратное напряжение, В 5;

Обратный ток (при напряжение 4 В), мкА 10;

максимальный импульсный ток, мА 140-160.

Габаритные размеры показаны на рисунке 1.5.

Рисунок 1.5

Выбор микроконтроллера (МК)

-выводные FLASH микроконтроллеры PIC16F62X входят в состав распространенного семейства PICmicro PIC16CXX. Микроконтроллеры этого семейства имеют 8-разрядную, высокопроизводительную и полностью статическую RISC архитектуру.

По сравнению с 8-разряжными микроконтроллерами этого класса, при использовании PIC16F62X выигрыш в эффективности использования памяти программ достигает 2:1, а производительность 4:1.

Для разрабатываемого устройства берем микроконтроллер PIC16F628А,

Так как он имеет малую стоимость и большую производительность по сравнению с другими микроконтроллерами. Габаритные размеры указаны на рисунке 1.6. Блок - схема PIC16F628А представлена на рисунке 1.7.

Рисунок 1.6

Рисунок 1.7

Назначение портов указанны на рисунке 1.8.

Рисунок 1.8

Перейти на страницу: 1 2 

Самое читаемое:

Исследование электромагнитной обстановки в помещении при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов на электронные средства
Задача борьбы с электромагнитными воздействиями возникла почти одновременно с электроникой, но в то время самостоятельного значения не имела и особых трудностей для своего решения не представляла. Трудности появились с увеличением количества технических средств, в частности электронных средств (ЭС), усложнением и ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024