) Контур контроля температуры воды на вторичное охлаждение
Контроль температуры осуществляется с помощью термометра сопротивления Метран 2700 унифицированный сигнал 4-20мА на выходе которого поступает на вход вторичного показывающего и регистрирующего прибора Метран-901 и затем на вход модуля аналогового ввода SM-431 контроллера Siemens S7-400.
) Контур контроля и регулирования расхода графитовой смазки в кристаллизаторе
Контроль и регулирование расхода графитовой смазки осуществляется с помощью датчика расхода Rosemount 8700, унифицированный сигнал 4-20мА с которого поступает на вход вторичного показывающего и регистрирующего прибора Метран-901 и затем на вход модуля аналогового ввода SM-431 контроллера Siemens S7-400. На другой вход контроллера поступает сигнал от задатчика БРУ-5. С выхода контроллера дискретный сигнал поступает на вход БРУ-10 и далее на пускатель ПБР-2М, который преобразует его в сигнал напряжения переменного тока 220В. Этот сигнал поступает на МЭО, котоое управляет клапаном подачи смазки.
) Контур контроля и регулирования системы топливо-воздух в машине газовой резки
Контроль и регулирование расхода расхода топлива и расхода воздуха осуществляется с помощью датчика расхода Rosemount 8800D, один из которых стоит в трубе по которой приходит воздух, а другой - топливо. Унифицированный сигнал 4-20мА с датчика поступает на вход вторичного показывающего и регистрирующего прибора Метран-901 и затем на вход модуля аналогового ввода SM-431 контроллера Siemens S7-400. На другой вход контроллера поступает сигнал от задатчика БРУ-5. С выхода контроллера дискретный сигнал поступает на вход БРУ-10 и далее на пускатель ПБР-2М, который преобразует его в сигнал напряжения переменного тока 220В. Этот сигнал поступает на МЭО, которое управляет клапаном подачи топлива или воздуха соответственно.
Самое читаемое:
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых
сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической
структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу.
Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев
представляло в то время необычайно сло ...