Разделы сайта

Расчёт элементов устройства, выбор типов и номиналов

ТСЭ (генератор тока) состоит из двух транзисторов VT2 и VT3.

В качестве VT2 и VT3 возьмем транзисторы КТ216А. Их параметры приведены в таблице 1. Входные и выходные характеристики представлены в приложении А.

Таблица 1. - Параметры транзистора КТ216А.

Параметр	Значение
Статический коэффициент передачи тока	9.50
Граничное напряжение Uгр, В	60
Постоянный ток коллектора Iгр, мА	10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора P, мВт	75
Емкость коллекторного перехода, пФ	10
Обратный ток коллектора	1мкА

Возьмем R2=15кОм.

Примем . Тогда

Учтем тот факт, что в начальный момент времени сопротивление разряженного конденсатора равно нулю.

Поскольку

, то при

Тогда и .

Т.е. .

Возьмем R2 типа C2-29 0,125 15кОм 0,1%.

На графике выходных характеристик (приложение А) находим точку . Ей соответствует . На графике входных характеристик находим точку при . Ей соответствует .

Следовательно

Примем выходной ток генератора тока равным 3мА. Тогда

Возьмем R3 резистор с близким номиналом типа C2-29 0,125 180Ом 0,5%.

Найдем номинал конденсатора С1.

Возьмем конденсатор типа К71-7-250-0,03мкФ 0,5%.

Расчет ключевого устройства (КУ)

Ключевое устройство реализовано на биполярном транзисторе n-p-n структуры управляемый импульсами положительной полярности. Из выходной цепи СМВ выходят импульсы как положительной так и отрицательной полярности. Транзистор КУ будет насыщен (открыт) при положительных полупериодах Uвх, а при отрицательных находится в режиме отсечки (закрыт), при этом фронт пилообразного напряжения будет формироваться в момент времени действия отрицательного импульса на входе КУ.

Выберем из справочника n-p-n транзистор серии КТ315А с параметрами, приведенными в таблице 2.

Таблица 2 - Параметры транзистора КТ315А

Максимальный ток коллектора Iкmax, мА	100
Максимальная рассеиваемая мощность Ркmaх, мВт	150
Структура	n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ, В	25
Коэффициент усиления потоку β	20.90

Перейти на страницу: 1 2 3

Самое читаемое:

Исследование наноструктурированной поверхности на АСМ Solver HV
Целью курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии, получение навыков работы на АСМ SOLVERHV. Преимущество АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные, электрические и электростатические хара ...