В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Динамическое торможение электропривода
Динамическое
торможение электропривода, режим работы электропривода, при котором в
результате взаимодействия постоянного магнитного потока в электродвигателе с
током замкнутого электропроводящего контура создаётся тормозное усилие. В
электроприводе с электродвигателем постоянного тока Д. т. осуществляется замыканием
обмотки якоря н ...