В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Использование микроконтроллера в системах управления
В современных системах управления микропроцессорная техника
все чаще и чаще находит себе место. Это объясняется простотой ее внедрения,
использования и модификации. Микроконтроллеры представляют собой приборы,
конструктивно выполненные в виде одной БИС и включающие в себя все устройства
необходимые для реализации цифро ...