В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Автоматическая измерительная система в виде электронного термометра
Электронные
термометры представляют собой автоматические устройства.
В
общем случае, автоматическими устройствами называются такие устройства, которые
позволяют осуществлять операции измерения каких-либо величин или управления
какими-либо объектами без непосредственного участия человека.
Автоматическое
устройство, как пра ...