В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Диод Шоттки
Диод
Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) - с малым падением напряжения при
прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки . Диоды
Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо
p-n перехода , как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение
промышленно выпускаемы ...