В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Вакуумные и плазменные приборы
Спроектировать электронно-оптическую систему
осциллографической трубки.
Исходные данные к проекту:
. Ускоряющее напряжение - 5 кВ.
. Ток эмиссии катода - 1 мА.
. Диаметр луча на экране - 0,5 мм.
. Развертка луча - линейная.
. Угол отклонения луча - 200.
Напряжение, В
6.3
...