В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Аппаратура цифровой радиосвязи в нелицензируемой полосе частот
Аппаратура
цифровой радиосвязи предназначена для решения широкого круга задач беспроводной
связи (дистанционного управления, телеметрии, сигнализации и оповещения) на
небольших территориях. Она находит применение в инженерных системах жилых
микрорайонов, в системах пожарной и охранной сигнализации, в
производственно-технологических ...