В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Конструкторское проектирование усилителя мощности звуковой частоты
Разрабатываемое изделие - стереоусилтель УМ55-101С, далее просто
стереоусилитель, предназначено для усиления сигнала звуковой частоты. Может
агрегатироваться сразличными видами акустических систем, с максимальной
выходной мощностью не менее 60 Вт на канал.
Изделие может эксплуатироваться в условиях категории исполнения УХЛ 4.2.
...