Толщина подложки: h = ;
смещение точки питания y = м;
размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.
волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.
Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):
Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты
Самое читаемое:
Исследование электромагнитной обстановки в помещении при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов на электронные средства
Задача борьбы с электромагнитными воздействиями возникла почти
одновременно с электроникой, но в то время самостоятельного значения не имела и
особых трудностей для своего решения не представляла. Трудности появились с
увеличением количества технических средств, в частности электронных средств
(ЭС), усложнением и ...