Толщина подложки: h = ;
смещение точки питания y = м;
размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.
волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.
Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):
Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты
Самое читаемое:
Вакуумные и плазменные приборы
Спроектировать электронно-оптическую систему
осциллографической трубки.
Исходные данные к проекту:
. Ускоряющее напряжение - 5 кВ.
. Ток эмиссии катода - 1 мА.
. Диаметр луча на экране - 0,5 мм.
. Развертка луча - линейная.
. Угол отклонения луча - 200.
Напряжение, В
6.3
...