Толщина подложки: h = ;
смещение точки питания y = м;
размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.
волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.
Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):
Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты
Самое читаемое:
Операционный микроэлектронный усилитель
Современная радиоэлектронная аппаратура (РЭА) характеризуется
тремя основными чертами:
резким возрастанием количества компонентов и в связи с этим
значительным уплотнением аппаратуры;
мобильностью, так как РЭА устанавливается на объектах, движущихся
с космическими скоростями;
количественным ростом выпуска аппаратуры и, след ...