Толщина подложки: h = ;
смещение точки питания y = м;
размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.
волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.
Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):
Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты
Самое читаемое:
Автоматизация технологических процессов в условиях технологического комплекса КК-АДСК-МНЛЗ ПАО МК Азовсталь, г. Мариуполь
Автоматизация управления технологическими процессами и
производством играет важную роль в непрерывном увеличении выпуска продукции в
нашей стране. Интенсификация и усложнение технологических процессов, рост
единичной мощности агрегатов и повышение требований к качеству готовой
продукции в соответствии с международными стандартами де ...