Разделы сайта

Расчёт зависимости входного сопротивления МПИ от частоты

Толщина подложки: h = ;

смещение точки питания y = м;

размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.

волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.

Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):

Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты

Самое читаемое:

Операционный микроэлектронный усилитель
Современная радиоэлектронная аппаратура (РЭА) характеризуется тремя основными чертами: резким возрастанием количества компонентов и в связи с этим значительным уплотнением аппаратуры; мобильностью, так как РЭА устанавливается на объектах, движущихся с космическими скоростями; количественным ростом выпуска аппаратуры и, след ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024