Разделы сайта

Расчёт зависимости входного сопротивления МПИ от частоты

Толщина подложки: h = ;

смещение точки питания y = м;

размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.

волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.

Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):

Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты

Самое читаемое:

Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления. Таблица 1. Вариант задания № варианта ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2020