Толщина подложки: h = ;
смещение точки питания y = м;
размеры излучателя a =0.011м; b = 0.005389 м.
волновое сопротивление МПИ = 7.239Ом.
Т.о. зависимость входного сопротивления от частоты имеет вид (на графике отдельно изображена мнимая и вещественная части комплексного входного сопротивления МПИ):
Рисунок 3.1 - Зависимость мнимой и вещественной части комплексного входного сопротивления от частоты
Самое читаемое:
Разработка микропроцессорной системы на основе процессора MC68000
микропроцессор память блок шина
1.
Разработать
микропроцессорную систему на базе процессора MC68000.
2.
Разработать и нарисовать
структурную и принципиальную схему МПС. Произвести подключение шины адреса,
данных и управления к соответствующим блокам на схеме. Сформировать блок
устройства памяти (ОЗУ и ПЗУ) и подключить е ...