Таблица Е.2 - Расчетные параметры
|
Объем энергонезависимой памяти EEPROM |
512 байт |
|
Объем памяти ОЗУ |
1024 байт |
|
Количество хранимых измерений |
10 |
|
Быстродействие |
510,31 мс |
|
Максимальная мощность |
0,814 Вт |
|
Наработка на отказ |
17238 ч |
Таблица Е.3 - Эксплуатационные характеристики
|
Масса |
до 1 кг |
|
Рабочая температура |
+5 . +45°C |
|
Температура хранения |
-20 . +60°C |
|
Питание |
9 В (AC) |
Самое читаемое:
Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем
Целью данной дипломной работы является разработка пакета
учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных
микросхем».
Данный пакет предназначен для изучения студентами:
технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных
транзисторах;
основных принципов проектирования полупро ...