Определение основных параметров усилительных каскадов на транзисторах

	, кОм, кОм, кОм, кОм, кОм, мА, кОм, кОм
1	33	13	10	3,3	0,62	1	50	0.7	2

Определение сквозного коэффициента усиления по напряжению
Определение входного сопротивления
Определение выходного сопротивления

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...