Разделы сайта

Определение основных параметров усилительных каскадов на транзисторах

, кОм, кОм, кОм, кОм, кОм, мА, кОм, кОм

1

33

13

10

3,3

0,62

1

50

0.7

2

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2019