5. Используя вычисленные в поз. 2 данного расчета значения крутизны ![]()
и выходной проводимости ![]()
эквивалентного транзистора ![]()
и заимствуя значения входной проводимости формирователя амплитуды ![]()
, по формуле (2.33) определяют коэффициент передачи дифференциального сигнала ![]()
:
. Производят расчет коэффициента ослабления синфазного сигнала ![]()
:
7. Рассчитывают статические параметры ДУ (ОУ): напряжение смещения нуля ![]()
(2.35), температурный дрейф смещения нуля ![]()
(2.36), средний входной ток ![]()
(2.37), разность входных токов ![]()
(2.38), температурный дрейф разности входных токов ![]()
(2.39), принимая относительное рассогласование коэффициентов передачи тока ![]()
транзисторов Т2* и Т6* в пределах от 5 до 15 процентов, а температурный дрейф этого рассогласования примерно 1 процент:
8. В завершение расчета элементов схемы ДУ определяют номинал резистора ![]()
по формуле (2.40):
Самое читаемое:
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых
сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической
структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу.
Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев
представляло в то время необычайно сло ...