Разделы сайта

Аппроксимация вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка

В данной курсовой работе необходимо сделать аппроксимацию вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Так же необходимо рассмотреть графический и аналитический методы решения трансцендентного уравнения. В последующем необходимо получить реакцию цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля. Проанализировать свои расчёты.

Задание

1. Аппроксимировать вольтамперную характеристику диода 2Д106 (рис.1)

2. Рассчитать режим цепи графическим методом (рис. 2)

. Рассчитать режим той же цепи численным методом

. Получить реакцию цепи на входное воздействие с помощью интеграла Дюамеля (рис. 3).

5. Проанализировать результаты вычислений

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

Исходные данные к работе

VD1

Тип модел.

R1, Ом

R2, Ом

C, нф

Um, В

f, кГц

Тип RC

Метод решения

Метод анализа

9

2Д106

Э

1,5

91

80

2,1

150

И

К

Д

Аппроксимация вольтамперной характеристики

Аппроксимирую график функции ВАХ изображённой на рис.1 с помощью экспоненциального полинома. Для этого воспользуюсь пакетом программ Mathcad 14.

Рис. 4

На рис. 4 изображены графики аппроксимированной и реальной ВАХ.

Графический метод расчета режима цепи (рис.2).

Находим период Т колебаний:

f=150*103 Гц

w=2*π*f=0.942*106 рад/с

T=1/f=6.67*106 с

С помощью пакета Mathcad 14. cтроим график e(t)= 2,1*sin(w*t) (рис. 5)

Разобьем полупериод сигнала на 20 точек.

Период сигнала (T) равен 6.667×10-6

Следовательно значение шага (Tn) равно 1.667×10-7

трансцедентный аппроксимация вольтамперный диод

Согласно дальнейшим расчетам построим таблицу 1:

Таблица 1

e(t), BABB

       

0

0

0

0

0

0.1667

0.329

0.219

0.329

0

0.3334

0.649

0.433

0.649

0

0.5001

0.954

0.636

0.704

0.25

0.6668

1.235

0.823

0.74

0.495

0.8335

1.485

0.99

0.766

0.719

1

1.699

1.133

0.787

0.912

1.167

1.871

1.248

0.801

1.07

1.334

1.998

1.332

0.811

1.187

1.5

2.074

1.383

0.817

1.257

1.667

2.1

1.4

0.819

1.281

1.834

2.074

1.383

0.817

1.257

2

1.998

1.332

0.811

1.187

2.167

1.871

1.248

0.801

1.07

2.334

1.699

1.133

0.787

0.912

2.501

1.485

0.99

0.766

0.719

2.667

1.235

0.823

0.74

0.495

2.834

0.954

0.636

0.704

0.25

3.001

0.649

0.433

0.658

0

3.167

0.329

0.219

0.329

0

3.333

0

0

0

0

Перейти на страницу: 1 2

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024