Таблица 1
Задание №2
Второе задание заключалось в построении выходных характеристик транзистора . Зависимости были получены при двух различных напряжениях затвора. Полученные результаты представлены в таблице 2 и на рисунке 2.
Погрешности значений определяются приборной погрешностью и по абсолютному значению равны: и . По выходной характеристике при отсутствии напряжения на затворе () можно определить минимальное сопротивление канала . Оно равно дифференциальному сопротивлению этой зависимости в начале координат (рис. 2). Используя метод сплайн-функций, мы численно подсчитали производную и получили:Rk0 = 53 КОм. Напряжение насыщения для данной кривой .
Для того чтобы найти напряжение отсечки, мы построили зависимость при (рис. 2). Максимальный ток равен . Проэкстраполировав полученную зависимость, мы нашли напряжение отсечки Uотс = -(4.1 ± 0.2)В.
Крутизна вычисляется как производная зависимость , и при Uз = 10В равна
S = (1.4 ± 0.1) 10-4 А/В.
Таблица 2
Рис 2 зависимость
Таблица 3
| ||||||||||||
19313842434343 | ||||||||||||
1234567 | ||||||||||||
| ||||||||||||
15252729303030 | ||||||||||||
1234567 | ||||||||||||
| ||||||||||||
10141617181818 | ||||||||||||
1234567 | ||||||||||||
| ||||||||||||
4.05.56.36.97.47.78.18.48.68.9 | ||||||||||||
12345678910 | ||||||||||||
| ||||||||||||
0.090.200.320.450.580.710.830.95 | ||||||||||||
12345678 | ||||||||||||
Самое читаемое:
Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем
Целью данной дипломной работы является разработка пакета
учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных
микросхем».
Данный пакет предназначен для изучения студентами:
технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных
транзисторах;
основных принципов проектирования полупро ...