Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Изучение параметров полевых транзисторов

Задание №3

Определение матрицы y-параметров из семейства характеристик транзистора.

у11 определили по входной характеристике при Uси = 0В: у11 = 0.64

у22 определили по выходной характеристике при Uзи = 0В:у22 = 4.89

у21 представляет собой крутизну транзистора, взятую с обратным знаком: у21 = - 1.4*10-4

Для определения у12 по входным характеристикам была построена зависимость Iз(Uси) (рис. 4). Затем методом наименьших квадратов был рассчитан искомый параметр: у12 = 0.61

Вывод

В результате нашей работы мы построили семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. По ним мы определили основные параметры транзистора: напряжение отсечки Uотс = -(4.1 ± 0.2)В., напряжение насыщения, минимальное сопротивление канала Rk0 = 52.6 КОм, ток утечки I30 = (1.6±0.2)*10-9 А. сопротивление утечки. Rут = (2.34±0.1)ГОм, крутизну S = (1.4 ± 0.1) 10-4 А/В.

Самое читаемое:

Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем
Целью данной дипломной работы является разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных микросхем». Данный пакет предназначен для изучения студентами: технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах; основных принципов проектирования полупро ...