Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
Исключено защелкивание
Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
В таблице 1.6 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора
Таблица 4.6 Рабочие характеристики SKM75GB063D
|
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
|
IGBT-транзистор | ||||||
|
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 1 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
В |
|
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
0,1 |
0,3 |
мА | |
|
VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
1,05 (1) |
В | ||
|
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
14 (18,7) |
мОм | ||
|
VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
2,1 (2,4) |
2,5 (2,8) |
В | |
|
Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
4,2 |
нФ | ||
|
Coes |
выходная емкость |
0,5 |
нФ | |||
|
Cres |
обратная переходная емкость |
0,3 |
нФ | |||
|
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
30 |
нГн | |||
|
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
0,75 (1) |
мОм | ||
|
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, ICnom = 75 A |
60 |
нс | ||
|
tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C |
50 |
нс | ||
|
td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = ± 15В |
350 |
нс | ||
|
tf |
время спада |
35 |
нс | |||
|
Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
3 (2,5) |
мДж | |||
Самое читаемое:
Диагностика и ремонт СВ-передатчика
Провести
ремонт радиоэлектронного изделия, значит восстановить его работоспособность.
Чтобы провести ремонт необходимо определить является ли изделие
ремонтопригодным. При ремонте узлы изделия могут быть заменены полностью или
частично. После проведения замены элементов в ремонтируемом изделии необходимо
провести регулировки и наст ...