Разделы сайта

Применение

молекулярный эпитаксия эффузионный фотоприемник

Использование структур со сверхрешетками, квантовыми ямами и квантовыми точками позволяет создавать уникальные проборы микро-, нано- и оптоэлектроники, принцип действия которых основан на волновой природе электрона. Это, в первую очередь, полупроводниковые лазеры и чувствительные фотодетекторы с квантовыми ямами, сверхрешетками и квантовыми точками в активной области, транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале, нанотранзисторы, туннельно-резонансные диоды, одноэлектронные приборы и т.п.

В настоящее время дополнительный импульс как исследовательским, так и технологическим работам по МЛЭ придают идеи и перспективы создания элементной базы для квантовых компьютеров.

Промышленная реализация и развитие метода МЛЭ убедительно показали, что он незаменим при получении многослойных эпитаксиальных структур с атомной гладкостью границ, прецизионно заданными толщинами слоев, составом и профилем легирования[14].

МЛЭ в коммерческих целях используется в основном для создания GaAs. Для устройств на основе GaAs требуется высокая скорость в СВЧ диапазоне и поэтому требуется очень хорошее качество эпитаксиальных слоев. С этой целью очень хорошо справляется процесс МЛЭ.

Так же с помощью МЛЭ выращивают слои GaAs на кремниевых подложках. Они получаются на больших пластинах, имеют лучшую теплопроводимость и обходятся более дешево. Не смотря на проблемы такого выращивания (довольно большое рассогласование постоянных решеток, что приводит к образованию дислокаций), на их основе было сделано много транзисторов, лазеров и светодиодов.

Кроме GaAs с помощью МЛЭ получают структуры с требуемыми параметрами из полупроводников III-V групп. Используя чередующиеся тонкие пленки (в несколько моноатомных слоев) из этих материалов получают сверхрешетки. Такие структуры особенно применяются светодиодах и лазерах (так же с излучением спектра синего цвета). Так же из этих структур изготавливают инфракрасные датчики, требующие очень малой ширины запрещенной зоны[6].

На основе соединений типа AIIIBV выпускают полупроводниковые индикаторы и приборы двух категорий: светодиодные индикаторы (LED) и микроволновые интегральные схемы.

Светодиоды изготавливают из монокристаллического GaAs, в котором р-n переходы формируются путем добавления соответствующих легирующих примесей. Обычно это теллур, цинк или кремний. Эпитаксиальные слои трехкомпонентных и четырехкомпонентных материалов типа AIIIBV, таких как фосфид арсенид галлия (GaAsP), наращиваются на подложку. Они дают полосу излучения волн определенной длины в видимом спектре для индикаторов или в инфракрасном спектре для источников излучения или датчиков. Например, красный свет с длиной волны примерно в 650 нм происходит от прямой рекомбинации р-n электронов и дырок. Диоды, излучающие зеленый свет, как правило, изготавливаются из фосфида галлия (GaP). Микроволновые интегральные схемы - специализированный тип интегральных схем. Они применяются в качестве высокочастотных усилителей (от 2 до 18 Ггц) для радарных, телекоммуникационных и телеметрических установок, а также для октавных и многооктавных усилителей, применяющихся в электронных военных системах. Изготовители микроволновых интегральных схем, как правило, закупают подложки из монокристаллического арсенида галлия у фирм-поставщиков материалов (как это делают изготовители кремниевых приборов). Основные этапы изготовления включают жидкофазное эпитаксиальное выращивание, технологические и нетехнологические процессы, аналогичные процессам, применяемым при изготовлении кремниевых приборов[15].

Постепенно растет спрос на структуры Si-Ge, материалов II-VI групп. Так же были попытки вырастить сплавы из магнитных материалов Co-Pt и Fe-Pt для улучшения магнитного хранения данных[6].

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Самое читаемое:

Диагностика и ремонт СВ-передатчика
Провести ремонт радиоэлектронного изделия, значит восстановить его работоспособность. Чтобы провести ремонт необходимо определить является ли изделие ремонтопригодным. При ремонте узлы изделия могут быть заменены полностью или частично. После проведения замены элементов в ремонтируемом изделии необходимо провести регулировки и наст ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2019