На основе квантовых точек InGaAs-GaAs изготавливают светодиоды и полупроводниковые лазеры поверхностного излучения с вертикальным объемным резонатором (vertical cavity surface-emitting lasers - VCSEL) [26]. Последние характеризуется излучением света в направлении перпендикулярно поверхности электродов - отсюда и словосочетание "вертикальное излучение" в названии.
По сравнению с поперечными излучателями у лазеров VCSEL имеются некоторые преимущества. Они гораздо проще в изготовлении. Поперечные излучатели необходимо сначала вырезать из соответствующего материала, затем поместить в корпус, и лишь после этого их можно тестировать. В то же время, лазеры VCSEL можно тестировать уже тогда, когда они только помещены на пластину-носитель, на которой осуществляется их сборка. Кроме того, VCSEL более эффективны и потребляют меньше энергии по сравнению с боковыми излучателями. Они вырабатывают меньше тепла, требуют меньшего внимания в вопросах теплоотвода и обычно служат дольше. Наконец, подобно другим типам лазеров, лазеры VCSEL допускают высокоскоростную модуляцию, благодаря чему они позволяют генерировать сигналы со скоростью более 1 Гбит/с.
Доступные в настоящее время лазеры VCSEL изготовляются из арсенида галлия (GaAs) и излучают свет в волновом диапазоне примерно от 750 до 1000 нм. Длины волн этого диапазона недостаточно велики для того, чтобы можно было передавать сигналы по волоконно-оптическим кабелям на большие расстояния, поэтому VCSEL используют не столько для дальней связи, сколько в LAN, развернутых в пределах одного здания, в которых интенсивный обмен информацией осуществляется на небольших расстояниях[27].
В данной курсовой работе был рассмотрен метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Из всего сказанного выше можно сделать однозначный вывод, что метод молекулярно-лучевой эпитаксии находится в ряде перспективных технологий выращивания тонких пленок и многослойных структур. Сверхвысокий вакуум позволяет выращивать очень качественные бездефектные тонкие пленки. Вакуум исключает загрязнения в камере роста а также увеличивает свободный пробег атомов, что позволяет значительно увеличить качество выращиваемых пленок. Низкая температура процесса уменьшает диффузию атомов и молекул из прилегающих материалов. Конструкция эффузионных ячеек позволяет использовать практически любые материалы для испарения и осаждения на подложку. Так же эти ячейки дают возможность резкого прерывания и возобновления поступления потоков атомов и молекул выращиваемого материала, что позволяет создавать резкие границы структур между слоями. Получению совершенных эпитаксиальных структур способствует и возможность анализа структуры, состава и морфологии растущих слоев в процессе их формирования методом дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС)[28].
С помощью МЛЭ было выращено множество нано-слоев, нитей и точек, которые обладают уникальными свойствами для наноэлектроники. Их можно использовать в создании полупроводниковых лазеров и чувствительных фотодетекторов с квантовыми ямами, сверхрешетками и квантовыми точками в активной области, транзисторов с высокой подвижностью электронов в канале, нанотранзисторов, туннельно-резонансных диодов, одноэлектронных приборов и т.п.
Однако существует ряд недостатков, которые не позволяют методу МЛЭ быть принятым для массового изготовления гетероструктур. Сверхвысокий вакуум способствует высокому качеству роста тонких пленок, однако сложность установки определяет высокую энергоемкость и дороговизну эксплуатации. Так же большой проблемой является скорость роста пленок. Однако исследования не стоят на месте, и, возможно, уже в скором будущем будут решены основные проблемы применения МЛЭ для широкого производства совершенных гетероструктур.
Самое читаемое:
Измерительный преобразователь переменного напряжения в постоянное
Измерительные
преобразователи для систем управления предназначены для информационной связи
первичных источников информации (датчиков) и исполнительных устройств системы
управления.
Такие
преобразователи выполняются, как правило, с использованием интегральных схем.
Применение интегральных схем позволяет сократить сроки проектиров ...