Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сложную задачу[1]. Выбор метода изготовления наноструктур определяется требуемой точностью воспроизведения заданного химического состава и толщин слоев. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10-6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы:
) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10-10 Торр;
) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок;
) особо чистые исходные материалы;
) "измельчение" частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул;
) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени.
Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Поэтому, несмотря на дороговизну, он широко применяется при изготовлении наноструктур[2].
Самое читаемое:
Исследования свойств гексагональных кодирующих коллиматоров для однофотонной эмиссионной томографии
Цель
работы: Численно исследовать аппаратные функции кодирующих коллиматоров,
построенных на базе псевдослучайных последовательностей, расширенных
псевдослучайных последовательностей, троичных последовательностей, расширенных
троичных последовательностей. Оптимизировать скорость расчета аппаратных
функций гексагональных кодирующих ...