Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сложную задачу[1]. Выбор метода изготовления наноструктур определяется требуемой точностью воспроизведения заданного химического состава и толщин слоев. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10-6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы:
) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10-10 Торр;
) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок;
) особо чистые исходные материалы;
) "измельчение" частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул;
) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени.
Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Поэтому, несмотря на дороговизну, он широко применяется при изготовлении наноструктур[2].
Самое читаемое:
Вакуумные и плазменные приборы
Спроектировать электронно-оптическую систему
осциллографической трубки.
Исходные данные к проекту:
. Ускоряющее напряжение - 5 кВ.
. Ток эмиссии катода - 1 мА.
. Диаметр луча на экране - 0,5 мм.
. Развертка луча - линейная.
. Угол отклонения луча - 200.
Напряжение, В
6.3
...