Разделы сайта

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сложную задачу[1]. Выбор метода изготовления наноструктур определяется требуемой точностью воспроизведения заданного химического состава и толщин слоев. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10-6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы:

) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10-10 Торр;

) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок;

) особо чистые исходные материалы;

) "измельчение" частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул;

) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени.

Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Поэтому, несмотря на дороговизну, он широко применяется при изготовлении наноструктур[2].

Самое читаемое:

Анализ линейной активной цепи
В данной курсовой работе необходимо выполнить анализ линейной активной цепи. Целью проектирования является закрепление навыков и умений студентов в области построения и анализа частотных, временных, спектральных характеристик радиотехнических цепей, нахождение формы сигнала на выходе цепи, исследование влияния параметров цепи на хар ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2019