Целью курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии, получение навыков работы на АСМ SOLVERHV.
Преимущество АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные, электрические и электростатические характеристики наноструктурированной поверхности.
В первую очередь наноструктурированные поверхности используются в качестве подложек для создания различных пленочных покрытий, свойства которых зависят от рельефа поверхности. В связи с этим основными задачами являются исследование рельефа наноструктурированных поверхностей, а также изучение взаимосвязи рельефа пленочных покрытий с рельефом подложек. Благодаря высокому пространственному разрешению основным инструментом для изучения рельефа поверхности в нанометровом масштабе на сегодняшний день является атомно-силовая микроскопия (АСМ).
Однако при использовании этого метода при исследовании наноструктурированных поверхностей возникает ряд проблем, связанных с низкой развитостью их рельефа и необходимостью учета малых аппаратных искажений метода АСМ. Требуется развитие методов описания статистических свойств нанорельефа, так как наиболее распространенные параметры шероховатости сверхгладких поверхностей не используют в полной мере данные АСМ. При изучении диэлектрических материалов актуальной задачей является изучение влияния статического заряда поверхности на получаемые АСМ - изображения.
Таким образом, развитие метода АСМ при исследовании наноструктурированных поверхностей и пленочных покрытий является актуальной задачей.
Самое читаемое:
Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Оптимизировать
процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить
расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину
напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной
скорости напыления.
Таблица
1. Вариант задания
№ варианта
...