Целью курсовой работы является изучение принципов сканирующей зондовой микроскопии, получение навыков работы на АСМ SOLVERHV.
Преимущество АСМ SOLVER HV состоит в том, что система позволяет проводить параллельно с изучением топографии поверхности исследуемого образца физические, магнитные, электрические и электростатические характеристики наноструктурированной поверхности.
В первую очередь наноструктурированные поверхности используются в качестве подложек для создания различных пленочных покрытий, свойства которых зависят от рельефа поверхности. В связи с этим основными задачами являются исследование рельефа наноструктурированных поверхностей, а также изучение взаимосвязи рельефа пленочных покрытий с рельефом подложек. Благодаря высокому пространственному разрешению основным инструментом для изучения рельефа поверхности в нанометровом масштабе на сегодняшний день является атомно-силовая микроскопия (АСМ).
Однако при использовании этого метода при исследовании наноструктурированных поверхностей возникает ряд проблем, связанных с низкой развитостью их рельефа и необходимостью учета малых аппаратных искажений метода АСМ. Требуется развитие методов описания статистических свойств нанорельефа, так как наиболее распространенные параметры шероховатости сверхгладких поверхностей не используют в полной мере данные АСМ. При изучении диэлектрических материалов актуальной задачей является изучение влияния статического заряда поверхности на получаемые АСМ - изображения.
Таким образом, развитие метода АСМ при исследовании наноструктурированных поверхностей и пленочных покрытий является актуальной задачей.
Самое читаемое:
Характеристики нанотолщинных композиционных слоистых покрытий на гибких подложках после деформации
Жидкокристаллические
индикаторы широко используют в оптических устройствах отображения информации, в
частности, как составную часть жидкокристаллических дисплеев. В зависимости от
материала подложек различают жесткие (стеклянные подложки) и гибкие
(пластиковые подложки) индикаторы. Преимущества гибких индикаторов в
компактности, пр ...